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图3 VO2通道的动态调制a,b）通过三步减少PTFE和尼龙之间的间隔距离（a）（路径：湖南40mm→3mm→0mm），湖南诱导电荷量出现三个平台，（b）VO2通道中出现与之对应的三个电阻平台。年第c）橙色线是通过有限元分析（FEA）模拟的VO2通道中感应的电荷量与PTFE和尼龙之间的分离距离的关系。
物资c,d）M2相结构：c）中性M2相的VO2晶胞的能带结构和态密度(DOS)。集中b）电阻-温度的微分曲线。通过TENG构筑类场效应晶体管结构，招标可以在VO2通道中感应出高浓度电荷，从而实现电子掺杂来调节VO2的电子结构。
FEA模拟显示VO2的感应电子平均密度可以高达1010~1011cm-2，采购可以实现更高的密度（≈1012 cm-2），以改善TENG-VO2在真空条件下的性能。典型的例子包括栅极电压之于场效应晶体管（FET），推荐磁场之于自旋电子学，以及力场之于压电电子学。
绿色星形是图2a的实验结果，标候与模拟曲线非常吻合。
通过这种动态的电荷掺杂，选人VO2通道的电阻/电阻率能够得到实时调制，而且这种调制作用在VO2的相变温区更为显著。鹰皇灯饰成为中国十大灯饰照明工程品牌，国网是以鹰皇灯饰在全球布局的网络客户服务及国际标准的生产系统产品保障作为支撑
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